一、活動時間：114年3月3日

二、活動地點：尚志教育紀念館B205室

三、活動目的：本課程邀請電機各領域業界先進分享技術及職涯發展現況，提供大二學生未來選擇電機專業參考。

四、活動內容：請戴進吉講員說明第三代半導體之氮化鎵功率元件的磊晶成⻑與市場應⽤

五、執行單位：電機工程學系

六、活動聯絡人/連絡電話：卓立/6087

七、參與人數：教師：0人、本校學生：69人、行政人員: 0人、校外：1人

八、滿意度調查成果

發放問卷數： 70份、有效問卷數：70 份

整體成效：3.92 /5

質化回饋意見：

1. 雖然很困難，不容易了解，但也對各種不同⼯程師有更深的了解。
2. 這場演講讓我深刻體會到氮化鎵作為第三代半導體材料的巨大潛力及其對科技與生活的影響。
3. 我不僅增長了知識，也對半導體產業的未來發展感到振奮與好奇，期待未來能看到更多氮化鎵技術的創新應用。
4. 經過這次講座，激發了我的興趣，因為任何技術的存在目的就是要解決問題並改善我們的生活。
5. 想要真正理解一項新技術或材料，最有效的方式就是你有了想用它解決的問題。

九、執行成效：

這次講座加深了學生對氮化鎵作為第三代半導體材料的理解，也激發了對其應用的興趣。講座內容雖然專業且不易理解，但讓學生認識到技術的發展是為了解決問題並改善生活，這使學生對未來半導體產業的創新應用充滿期待與好奇。